B 半自动：指的是对准可以通过电动轴根据CCD的进行定位调谐；
C 自动： 指的是 从基板的上载下载，曝光时长和循环都是通过程序控制，自动光刻机主要是满足工厂对于处理量的需要，恩科优的NXQ8000系列可以一个小时处理几百片wafer 。
光刻机中国能造吗？

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暂时不能
光刻机不是一项单一的技术，而是现代各项高科技技术的集成，成品背后需要无数的产业链支持，以中国现在的科技水平暂时还不能造出 。
当中国专家去荷兰阿斯麦尔公司参观光刻机的时候，阿斯麦尔的高管直接对中国的专家说：就算给你全套图纸，你们中国也造不出光刻机 。

理想很丰满，现实很骨感，以中国现在的科技水平确实造不出光刻机，光刻机不是一项单一的技术，而是现代各项高科技技术的集成，光刻机的内部十分复杂，可以说是人类知识集大成的产物之一，光刻机就像手机和汽车一样，是由无数的零配件组装合成的，最终实现某种功能，成品背后需要无数的产业链支持，各式各样的零配件都是行业内顶级的技术体现，没有长时间的深耕运作，国产光刻机在单一的某项技术上实现领先是没问题的，但是想要在整体上实现弯道超车，基本上不现实 。
举个例子：比如马拉松长跑比赛，第二名与第一名的差距相差3公里，在某一个时间段，第二名选手的速度超过了第一名选手，这仅仅代表着第二名选手最终有超越第一名选手的可能，但是3公里路程的巨大差距却不是一时半会可以赶上的，想要超越，时间跨度将非常大，因为你在努力向前跑的同时对手也在努力向前跑 。
荷兰阿斯麦尔之所以能够垄断全球最顶尖的光刻机市场，不是因为荷兰人聪明，单纯靠荷兰人也研发不出光刻机，光刻机的研发集合了全球优势资源加上半导体几十年的技术积累，最终在数以万计的专业的顶尖研发人员不断技术突破下才成功，荷兰的幸运在于目前只有荷兰掌握光刻机最核心的技术“侵入式光刻技术”，所以现在顶级光刻机只有荷兰有能力生产 。
技术是研发的外在体现，任何技术的突破都是厚积薄发的结果，光刻机需要的技术方向特别多，比如机械化层面，自动化层面，系统科学层面等一大堆方向都需要有人去攻关，有些地方是知道技术壁垒的，但是如何突破技术壁垒还没有头绪，有些地方连技术壁垒在什么地方都没找到，更别谈技术突破了，而且任何一项技术的突破都需要长年累月技术投入，资金投入，人员投入 。
技术积累并不是钱能够解决的，目前国内在光刻机领域做得比较好的是上海微电子装备和中科院的某个研究所，它们目前还停留在90nm研发产品阶段，而荷兰阿斯麦尔7nm的光刻机已经实现量产，当然这并不代表国产光刻机没有超越的机会，目前国内对光刻机的重视程度越来越高，大量的资金和顶尖的人才都在光刻机领域深耕研究 。
国产光刻机其实只要在某些关键技术上取得突破，就算得上是弯道超车了，就好比荷兰阿斯麦尔在光刻机“侵入式光刻技术”上领先全球一样，没有这项关键性技术，就无法制造更顶级的光刻机，所以目前只有荷兰才有资格制造顶级光刻机 。
光刻机怎么制作（最好提供图文）？

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第一步：制作光刻掩膜版（Mask Reticle）
芯片设计师将CPU的功能、结构设计图绘制完毕之后，就可将这张包含了CPU功能模块、电路系统等物理结构的“地图”绘制在“印刷母板”上，供批量生产了 。这一步骤就是制作光刻掩膜版 。
由不透明的遮光薄膜在透明基板上形成掩膜图形结构，再通过曝光过程将图形信息转移到产品基片上 。（*百度百科）
将设计好的半导体电路”地图“绘制在由玻璃、石英基片、铬层和光刻胶等构成的掩膜版上
光刻掩膜版的立体切片示意图
第二步：晶圆覆膜准备
从砂子到硅碇再到晶圆的制作过程点此查阅，这里不再赘述 。将准备好的晶圆（Wafer）扔进光刻机之前，一般通过高温加热方式使其表面产生氧化膜，如使用二氧化硅（覆化）作为光导纤维，便于后续的光刻流程：
第三步：在晶圆上“光刻”电路流程
使用阿斯麦的“大杀器”，将紫外（或极紫外）光通过蔡司的镜片，照在前面准备好的集成电路掩膜版上，将设计师绘制好的“电路图”曝光（光刻）在晶圆上 。（见动图）：

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